Planta de producción de arseniuro de galio para aplicaciones electrónicas
Código: P222
El arseniuro de galio y sus aplicaciones: En wikipedia se puede leer la siguiente información sobre las propiedades y aplicaciones del arseniuro de galio:
El
Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de
galio y
arsénico. Es un importante
semiconductor
y se usa para fabricar dispositivos como
circuitos integrados
a
frecuencias
de
microondas,
diodos de emisión infrarroja,
diodos láser
y
células fotovoltaicas.
La masa efectiva de la carga eléctrica del GaAs tipo N dopado es menor que en el silicio del mismo tipo, por lo que los electrones en GaAs se aceleran a mayores velocidades, tardando menos en cruzar el canal del transistor. Esto es muy útil en altas frecuencias, ya que se alcanzará una frecuencia máxima de operación mayor. Esta posibilidad y necesidad de trabajar con circuitos que permitan actuar a mayores frecuencias tiene su origen en las industrias de defensa y espacial, en el uso de radares, comunicaciones seguras y sensores. Tras el desarrollo por parte de programas federales, pronto el GaAs se extendió a los nuevos mercados comerciales, como redes de área local inalámbricas (WLAN), sistemas de comunicación personal (PCS), transmisión en directo por satélite (DBS), transmisión y recepción por el consumidor, sistemas de posicionamiento global (GPS) y comunicaciones móviles. Todos estos mercados requerían trabajar a frecuencias altas y poco ocupadas que no podían alcanzarse con silicio ni germanio. Además, esto ha afectado a la filosofía de fabricación de semiconductores, empleándose ahora métodos estadísticos para controlar la uniformidad y asegurar la mejor calidad posible sin afectar gravemente al coste. Todo esto posibilitó también la creación de nuevas técnicas de transmisión digital a mayor potencia de radiofrecuencia y amplificadores de baja tensión/bajo voltaje para maximizar el tiempo de operación y de espera en dispositivos alimentados por baterías.
Procedimientos: El arseniuro de galio es conveniente que se presente en forma de monocristales para poder emplearlo en sistemas electrónicos. Habitualmente se hacen crecer los monocristales a partir de una fase vapor. La técnica de Bridgman-Stockbarger emplea un horno en cuyo extremo se coloca un cristal semilla. A partir de el se va enfriando el material para que vaya cristalizando poco a poco desde un extremo al otro del horno. De esta forma se pueden obtener barras de arseniuro de galio consistentes en un monocristal. En las patentes adjuntas se muestran algunos de estos procedimientos.
Más información: Patentes: ES 0 287732, US 5007979, US 4618396