DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS

4.5T+3P=7.5 créditos

Profesor: D. Pedro Cartujo Estébanez

Código: 100 11 44

 

1.-Características del contacto metal-semiconductor.

2.-Unión p-n en equilibrio, en régimen dinámico estacionario y conmutación.

3.-El transistor bipolar de unión. Comportamiento físico.

4.-Modelos circuitales para condiciones estáticas, dinámicas y de conmutación.

5.-Limitaciones físicas del transistor y efectos de segundo orden. Aplicación a los modelos.

6.-Transistores de efecto campo: JFET, MESFET. Modelos circuitales.

7.-Metal-aislante-semiconductor (MIS). Comportamiento dinámico. Modelo eléctrico.

8.-Modelo físico del MOSFET. Parámetros básicos. Efectos geométricos y de alto campo.

9.-Modelos circuitales del MOSFET: condiciones dinámicas, gran señal y pequeña señal.

10.-Limitaciones físicas del transistor y efectos de segundo orden. Aplicación a los modelos.

11.-Fotodetectores. Célula solar cristalina.

12.-Diodos emisores de luz. Láseres semiconductores.

13.-Otros dispositivos electrónicos de propósito especial.

BIBLIOGRAFÍA

(7) "Dispositivos Electrónicos: Problemas Resueltos", Roldán Aranda, J.B., Gámiz, F.J.

Editorial Ra-Ma. 2100. ISBN:84-7897-470-9

 

 

 

Conocimientos Previos Recomendados:

- Asignatura: "Microelectrónica"