ALBERTO J. PALMA LÓPEZ

Profesor Titular de Universidad del área de TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

Dpto. Electrónica y Tecnología de Computadores

UNIVERSIDAD DE GRANADA

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PUBLICACIONES

 

CLAVE: L= libro completo,CL.= capítulo de libro, A= artículo, R= revista, E=editor

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada, F.Gámiz, P. Cartujo y J.E. Carceller

TITULO: Determinación directa de las secciones eficaces de captura térmica en uniones p+n con centros profundos.

 

REF. REVISTA/LIBRO: Microelectrónica 92 (ISBN:84-8102-014-1)  pp 30-32 (1993)    

CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): I. Melchor, J.A. López-Villanueva, A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada y P. Cartujo

TITULO: odelización de la capa de acumulación en estructuras metal-aislante-semiconductor

 

REF. REVISTA/LIBRO: Microelectrónica 92 (ISBN:84-8102-014-1)  pp 17-20 (1993)    

CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma):   J.A. Jiménez-Tejada, A. Palma, J.Banqueri, I.Melchor , J. Vicente y J.E. Carceller

TITULO: Interpretación de resultados de espectroscopia de transitorios de niveles profundos en uniones p-n no abruptas.

 

REF. REVISTA/LIBRO: Microelectrónica 92 (ISBN:84-8102-014-1)  pp 27-29 (1993)    

CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada, J. Banqueri, P. Cartujo y J.E. Carceller

TITULO: Accurate determination of majority termal-captura cross sections of deep impurities in p-n junctions.

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 74 pp 2605-2612 (1993)                           CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): P. Cartujo, J.A. Jiménez-Tejada, A. Palma y J.E. Carceller

TITULO: Estudio electrico comparativo entre uniones p+-n abruptas y graduales con centros profundos.

 

REF. REVISTA/LIBRO: Homenaje a Vicente Aleixandre (ISSN:84-7762-410-0)  pp 139-142 (1993)                                                                                                                         CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): F. Gámiz, J.A. López-Villanueva, J.A. Jiménez-Tejada, I. Melchor y A. Palma

TITULO: A comprehensive model for Coulomb scattering in inversion layers.

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 75 pp 924-934 (1994)                               CLAVE: A

 

 

AUTORES (p.o. de firma): F. Gámiz, I. Melchor, A. Palma, P. Cartujo y J.A. López-Villanueva

TITULO: Effects of oxide-charge space correlation on electron mobility in inversion layers

 

REF. REVISTA/LIBRO: Semicond. Sci. Technol. 9 pp 1102-1107 (1994)             CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada, I. Melchor, J.A. López-Villanueva y J.E. Carceller

TITULO: Comprehensive Monte Carlo simulation of the nonradiative carrier capture process by impurities in semiconductors

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 77 pp 1998-2005 (1995)                            CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada, A. Godoy, J.A. López-Villanueva y J.E. Carceller

TITULO: Monte Carlo study of the statistics of electrón capture by shallow donors in silicon at low temperatures

 

REF. REVISTA/LIBRO: Phys. Rev. B 51 pp.14147-14151 (1995)                           CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada, A. Godoy, I. Melchor, y P. Cartujo

TITULO: Monte Carlo simulation of multiphonon capture mechanism by deep neutral impurities in Si in the presence of an electric field.

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 78 pp. 5448-5453 (1995)                          CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada, A. Godoy y J.E. Carceller

TITULO: Monte Carlo simulation of carrier capture at deep centers for Silicon and Galium Arsenide devices.

 

REF. REVISTA/LIBRO: Simulation of semiconductor devices and proceses (ISBN: 3-211-82736-6) Ed. Springer-Verlag  pp. 380-383 (1995)                                                 CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada y I. Melchor

TITULO: Estudio de la captura térmica por defectos en Si y GaAs

 

REF. REVISTA/LIBRO: Tesis doctoral (ISBN: 84-7951-013-7)  (1995)                CLAVE: L

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Godoy, A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada y J.E. Carceller

TITULO: Influence of the position of deep levels on generation-recombination noise.

 

REF. REVISTA/LIBRO: Appl. Phys. Lett. 24  pp. 3581-3583 (1995)                    CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. López-Vilanueva y J.E. Carceller

TITULO: Electric field dependence of the electron capture cross section of neutral trpas in SiO2 bulk

 

REF. REVISTA/LIBRO: The physics and chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 interface-3 (ISBN: 1-56677-151-X)  pp. 509-519 (1996)                                             CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): J.A. Jiménez-Tejada, A. Palma, A. Godoy y J.E. Carceller

TITULO: Anomalous Behaviour of the Electric Field in Highly-Compensated Non-Uniform Semiconductors at Low Temperatures

 

REF. REVISTA/LIBRO: Journal de Physique IV 6 pp. C3/99-C3/103 (1996)    CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada, A. Godoy y P. Cartujo

TITULO: Capture process by shallow donors in silicon at low temperatures.

 

REF. REVISTA/LIBRO: Journal de Physique IV 6 pp. C3/105-C3/110 (1996)    CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. López-Villanueva y J.E. Carceller

TITULO: Electric Field dependence of the electrón capture cross section of neutral traps in SiO2

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Electrochem. Soc. 143 pp. 2687-2690 (1996)             CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): J. Banqueri, J.A. López-Villanueva, F. Gámiz, A. Palma y J.E. Carceller

TITULO: Semi-empirical model of electron mobility in MOSFETS in strong inversion regime.

 

REF. REVISTA/LIBRO: IEE Proc-Circuits Devices Sist.. 143 pp. 202-206 (1996)  CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Godoy, J.A. Jiménez-Tejada, A. Palma, J.E. Carceller y P. Cartujo

TITULO: Localización del origen del ruido generación-recombinación en un transistor de efecto de campo de unión

 

REF. REVISTA/LIBRO: Actas CDE-97 (ISBN: 84-7653-625-9)  (1997)               CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada, A. Godoy, I. Melchor y P. Cartujo

TITULO: Captura térmica por centros atractivos en Si

 

REF. REVISTA/LIBRO: Actas CDE-97 (ISBN: 84-7653-625-9)  (1997)               CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Godoy, F. Gámiz, A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada y J.E. Carceller

TITULO: Random telegraph signal amplitude in submicron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors

 

REF. REVISTA/LIBRO: Appl. Phys. Lett. 70 pp. 2153-2155 (1997)                       CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, A. Godoy, J.A. Jiménez-Tejada, J.E. Carceller y J.A. López-Villanueva.

TITULO: Quantum two-dimensional calculation of time constants of random telegraph signals in metal-oxide-semisonductor structures

 

REF. REVISTA/LIBRO: Phys. Rev. B 56 pp. 9565-9574 (1997)                             CLAVE:A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Godoy, A. Palma, F. Gámiz, J.A. Jiménez-Tejada y P. Cartujo

TITULO: Contribution of the carrier number fluctuations and mobility fluctuations on the RTS amplitude in submicron n-MOSFETs

 

REF. REVISTA/LIBRO: Noise in physical systems and 1/f fluctuations (ISBN: 981-02-3141-5) Ed.World Scientific pp. 201-204 (1997)                                                              CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, A. Godoy, J.A. Jiménez-Tejada y J.E. Carceller

TITULO: Voltage and temperature dependencies of up and down times of RTS in MOS structures: a theoretical study

 

REF. REVISTA/LIBRO: Noise in physical systems and 1/f fluctuations (ISBN: 981-02-3141-5) Ed.World Scientific pp. 210-213 (1997)                                                               CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Godoy, F. Gámiz, A. Palma, J.A. Jiménez-Tejada, J. Banqueri y J.A. López-Villanueva

TITULO: Influence of mobility fluctuations on random telegraph signal amplitude in n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 82 pp. 4621-4628 (1997)                           CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Palma, J.A. López-Villanueva, A. Godoy, J.A. Jiménez-Tejada y P. Cartujo

TITULO: Theory of single-electron interface trapping in deep submicrometer MOS structures

 

REF. REVISTA/LIBRO: Actas CDE-99 (ISBN: 84-00-07819-5)  (1999)               CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Godoy, J.A. López-Villanueva, J.A. Jiménez-Tejada A. Palma y P. Cartujo

TITULO: “An analytical subthreshold swing model for submicron MOSFETs

 

REF. REVISTA/LIBRO: Actas CDE-99 (ISBN: 84-00-07819-5)  (1999)               CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): J. A. López Villanueva, P. Cartujo-Cassinello, F. Gámiz, J. Banqueri y A. Palma

TITULO: Effects of the inversión layer centroid on the performance of double-gate MOSFETS

 

REF. REVISTA/LIBRO:  IEEE Trans. Elec. Dev. 47 pp.141-146 (2000)                 CLAVE:A

 

AUTORES (p.o. de firma): S. Rodríguez, F. Gámiz, A. Palma, P. Cartujo y J.E. Carceller

TITULO: Influence of technological parameters on the behaviour of the hole effective mass in SiGe structures

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 88  pp. 1978-1982 (2000)                         CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Godoy, J.A. Jiménez-Tejada, A. Palma y J.E. Carceller

TITULO: Optimun design in a JFET for minimum generation-recombination noise.

 

REF. REVISTA/LIBRO: Microele. Reliability 40 pp. 1965-1968 (2000)                  CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): A. Godoy, J.A. López-Villanueva, J.A. Jiménez-Tejada, A. Palma y F. Gámiz

TITULO: A simple subthreshold swing model for short channel MOSFETs.

 

REF. REVISTA/LIBRO: Solid-State Electron. 45 pp. 391-397 (2001)       CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): F. Jiménez-Molinos, A. Palma, F. Gámiz, J. Banqueri y J.A. López-Villanueva

TITULO: Physical model for trap-assisted inelastic tunnelling in metal-oxide-semiconductor strutures

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 90 pp.3396-3404 (2001)                 CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): J.A. Jiménez-Tejada, A. Godoy, A. Palma y P. Cartujo

TITULO: Contribution of injection in current noise due to generation and recombination of carriers in p-n junctions.

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 90 pp. 3998-4006 (2001)               CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): ): J.A. Jiménez-Tejada, A. Godoy, A. Palma y P. Cartujo

TITULO: Temperature dependence of generation-recombination noise in p-n junctions

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Phys. IV France 12  pp. Pr3/71-Pr3/74 (2002)  CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): F. Jiménez-Molinos, F. Gámiz, A. Palma, P. Cartujo y J.A. López-Villanueva

TITULO: Direct and trap-assited elastic tunneling through ultrathin gate oxide

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 91 (2002)                                        CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): J.A. Jiménez-Tejada, A. Godoy, A. Palma y J.A. López-Villanueva

TITULO: Generation-recombination noise in highly asymmetrical p-n junctions

 

REF. REVISTA/LIBRO: J. Appl. Phys. 92 pp. 320-329 (2002)                   CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): AUTORES: F. Jiménez-Molinos, F. Gámiz, A. Palma, P. Cartujo-Cassinello, J.B. Roldán y F.M. Gómez-Campos

 TITULO:  Two interfaces Coulomb scattering model for silicon on insulator devices

REF. REVISTA/LIBRO: Libro de Abstracts CDE-03 (ISBN: 84-607-6771-X) (2003)

                       CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): AUTORES: J.A. Jiménez-Tejada, A. Godoy, A. Palma y J.A. López-Villanueva

TITULO:  Electrical characteristics of highly asymmetrical p-n junctions: application to low frequency noise

REF. REVISTA/LIBRO: Libro de Abstracts CDE-03 (ISBN: 84-607-6771-X) (2003)

                       CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): L.J. Asensio, A. Palma, J. Banqueri, P. Cartujo y M. Vilches

TITULO: Characterization of a commercial MOSFET as radiation dosimeter

REF. REVISTA/LIBRO: Libro de Abstracts CDE-03 (ISBN: 84-607-6771-X) (2003)

                       CLAVE: CL

 

AUTORES (p.o. de firma): : A. Gehring, F. Jiménez-Molinos, H. Kosina, A. Palma, F. Gámiz, y S. Selberherr

TITULO: Modeling of retention time degradation due inelastic trap-assisted tunnelling in EEPROM devices

REF. REVISTA/LIBRO: Microele. Reliability  43 pp. 1495-1500 (2003)                CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): : J A López-Villanueva, J A Jiménez-Tejada, A Palma, S Rodríguez Bolívar and J E Carceller

TITULO: A simple model for analysing the effects of band non-parabolicity in nanostructures

REF. REVISTA/LIBRO: Semicond. Science and Tech.  20 pp. 532-539 (2005)                CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma):L.J. Asensio, M.A. Carvajal, J A López-Villanueva, M. Vilches, A.M. Lallena y  A.J. Palma

TITULO: Evaluation of a low-cost commercial MOSFET as radiation dosimeter.

REF. REVISTA/LIBRO: Sensor and Actuator A  125 pp. 288-295 (2006)            CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): Luis Fermín Capitán Vallvey y  Alberto J. Palma López

TITULO: Colaborar para innovar.

REF. REVISTA/LIBRO: Proyectos Químicos 1161 pp.58-60 (2006)                                    CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma):A. Palma, J. López-González, L. J. Asensio, M.D. Fernández-Ramos y L.F. Capitán-Vallvey

 TITULO: Microcontroller-Based Portable Instrument for Stabilised Optical Oxygen Sensor

REF. REVISTA/LIBRO: Sensor and Actuator B  (En prensa) ¿? pp. ¿? (2006)                                          CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma):A. Palma, A. Lapresta-Fernández, J.M. Ortigosa-Moreno M.D. Fernández-Ramos, M.A. Carvajal y L.F. Capitán-Vallvey

 TITULO: A simplified measurement procedure and portable electronic photometer for disposable sensors based

on ionophore-chromoionophore chemistry for potassium determination

 

REF. REVISTA/LIBRO: Analytical and bioanalytical chemistry   386 pp.1215-1224 (2006)                    CLAVE: A

 

AUTORES (p.o. de firma): Luis Fermin Capitan-Vallvey; Luis J. Asensio,Javier Lopez-Gonzalez, Maria

Dolores Fernandez-Ramos, Alberto J. Palma,

 TITULO: Oxygen-Sensing Film Coated Photodetectors For Portable Instrumentation

 

REF. REVISTA/LIBRO: Analytica Chimica Acta (En prensa) ¿? pp. ¿? (2006)                               CLAVE: A

 

 

 

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